MOS管驱动电路
由于MOSFET的结电容 密勒效应，导致它的开通和关断过程并不是直接完成的，百度密勒效应可以查到。
为了给G极结电容快速充电，就要求G级电流尽可能大，经过验证，使用推挽输出电路，可以很好地减少MOSFET开通和关断所用的时间，是驱动MOSFET十分不错 的选择。
MOS管的G极相当于一个电容，接高电平的时候有个充电过程，充电让G极达到完全导通电压后，MOS管完全导通。
- 普通电路驱动MOSFET：
即将更新配图 MOSFET驱动电路与PWM功率控制 - fine_young - fine_young的博客
当PWM信号是高电平时，Q3导通，MOS管G极接地，没有电压，MOS关断。
这时候，电阻R18/R39不能取的太小，否则通过Q3的电流太大会烧坏三极管。
当pwm信号低电平的时候，Q3不导通，MOS管G极接12V，MOS管开通。这时候又希望R18尽量小，让G极充电电流尽量大，从而保证MOS管快速开通。 - 推挽电路驱动MOSFET：
即将更新配图 MOSFET驱动电路与PWM功率控制 - fine_young - fine_young的博客
PWM信号高电平，Q7导通，Q1关断，MOS管G极电压通过Q5放电，让MOS管关断；
PWM信号低电平，Q7关断，Q1开通，VCC12v通过Q1快速给MOS管G极充电，使MOS管快速导通；
两种电路实际比较，推挽输出电路驱动的MOSFET开通时间和关断时间比普通驱动小很多，快速稳定。PWM功率控制
这种方法的原理就是通过控制PWM信号占空比，控制MOS管的开通时间和关断时间，从而改变加在负载上的平均功率。
之所以要用MOS管，是为了用类似单片机等芯片可以输出的小电压PWM信号来控制大电压，大电流。MOS管的开关速度非常快，可以达到几十M。